PRAM, 새로운 메모리 산업의 신화를 기대하며

PRAM, 새로운 메모리 산업의 신화를 기대하며

- 특허출원 동향으로 살펴본 PRAM 기술개발의 발자취 -

지난달(2010년 4월) 말 삼성전자는 세계 최초로 PRAM의 상용화에 성공하여 512Mbit PRAM를 양산한다고 밝혔다.

PRAM은 상변화물질을 전기적으로 가열하여 작은 저항 특성을 갖는 결정상태로 되느냐, 또는 저항 특성이 큰 비정질상태로 되느냐에 따라 정보를 저장하고 판독하는 방식의 메모리 소자이다. 또한, PRAM은 플래시메모리와 같이 비휘발성 메모리이면서도 DRAM과 같이 고속 동작이 가능하여 기존의 메모리를 대체할 차세대 메모리로 주목받고 있는 메모리이다.

이처럼 막연하던 새로운 기술이 눈에 보이는 제품으로까지 상용화되는 데는 기업의 각고의 노력이 뒷따랐음을 짐작할 수 있다. PRAM 기술과 관련된 특허 출원의 동향은 이러한 노력의 흔적들을 잘 보여주고 있다.

특허청(청장 이수원)에 따르면 PRAM에 관련된 특허출원은 2001년 4건에 불과하던 것이 계속 꾸준히 증가하여 2008년에는 181건에 육박한 것으로 나타났다. 이러한 PRAM 관련 특허 출원은 주로 국내 PRAM 연구를 주도하고 있는 삼성전자와 하이닉스에 의하여 대부분 이루어지고 있는데, 특히 연도별 출원인 동향을 살펴보면 삼성전자의 경우 2002년 12건, 2003년 24건 등 2000년대 초기부터 꾸준히 출원하여 2006년에 85건으로 최대량을 출원한 뒤 그 이후부터는 출원량이 서서히 줄어들고 있으며, 하이닉스의 경우는 삼성전자에 비하여 조금 늦은 2004년에 48건을 출원하면서 그 뒤 매년 꾸준히 출원량이 증가하여 2008년에는 130건까지 육박한 것을 볼 수 있다.

이러한 특허 출원의 동향은 바로 기술 개발의 발자취와 연결된다. 즉, 삼성전자가 다른 기업보다 조금 앞서 활발한 특허 출원을 보인 것은 타기업보다 먼저 PRAM 개발에 발을 들였음을 알려주는 증거라 할 것이며, 또한 이러한 기술의 선점이 세계 최초의 PRAM 양산이라는 결실로 이루어질 수 있었을 것이다. 또한, 특허 출원 동향으로부터 짐작할 수 있듯이 하이닉스가 비록 삼성전자보다는 다소 늦게 PRAM 개발에 착수하였다 할지라도 현재 하이닉스가 보이는 왕성한 특허 출원의 형태로 볼 때 조만간 제2의 PRAM 양산 소식을 전해줄 것을 기대할 수 있을 것이다.

양산된 PRAM이 현재의 플래시 메모리를 대신하게 될 경우 소비자는 더 빠른 성능의 휴대전화, SSD, 디지털 티비 등을 만나게 될 것이다. 우리나라 효자 산업인 반도체 산업의 신화가 PRAM의 양산을 통하여 또다시 이어질 수 있기를 기대해 본다.

발췌 : 집현전특허사무소(http://www.bco.co.kr/)